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岡 壽崇; 高橋 温*; 小荒井 一真; 光安 優典*; 木野 康志*; 関根 勉*; 清水 良央*; 千葉 美麗*; 鈴木 敏彦*; 小坂 健*; et al.
Radiation Measurements, 134, p.106315_1 - 106315_4, 2020/06
被引用回数:5 パーセンタイル:52.06(Nuclear Science & Technology)ニホンザルのエナメル質中に誘起された炭酸ラジカルと吸収線量の関係(検量線)を電子スピン共鳴(ESR)法で調べた。ニホンザルのエナメル質のESR測定で検出できる線量の下限(検出限界)は33.5mGyであり、ヒトのエナメル質の検出限界と同等であった。作成した検量線を用いて、福島県で捕獲した7頭の野生ニホンザルの線量を評価したところ、45mGyから300mGyの被ばくをしていることがわかった。
Son, N. T.*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; et al.
Physica B; Condensed Matter, 376-377, p.334 - 337, 2006/04
被引用回数:3 パーセンタイル:17.92(Physics, Condensed Matter)六方晶炭化ケイ素(4H-SiC)の固有欠陥解明研究の一環として、P6/P7とラベル付けされた格子欠陥(センター)を電子常磁性共鳴(EPR)法及び理論計算(ab initio)法を用いて調べた。室温または850Cでの3MeV電子線照射により4H-SiC中にP6/P7センターを導入し、EPR測定を行った結果、P6/P7センターの近接炭素及びシリコン原子の超微細相互作用定数が電気的に中性の複空孔(VV)に対する計算値と非常によく一致することがわかった。これにより、正に帯電した炭素空孔と炭素アンチサイト対の光励起三重項状態(VC)と従来考えられていたP6/P7センターが、C/C対称性を有するVVの三重基底状態に起因すると結論できた。
梅田 享英*; Son, N. T.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; Janzn, E.*
Materials Science Forum, 527-529, p.543 - 546, 2006/00
六方晶炭化ケイ素(4-SiC)中の欠陥センターである5を電子常磁性共鳴(EPR)法を用いて調べた。従来、5は高抵抗4-SiC基板中に存在することが知られていたが、低濃度であるため解析が難しく、欠陥構造の同定がなされていなかったが、本研究では、800Cでの高温で電子線(3MeV)を照射することで大量の5を導入できることを見いだし、その構造同定を試みた。試料にはn型の4-SiCを用い、800Cにて3MeV電子線を110/cm照射し5を導入した。100Kにて5の超微細構造を詳細に調べることで、5が、負に帯電した炭素空孔(V)とシリコンサイトを置換した炭素(C)の複合欠陥(V-C)であることを決定した。さらに、5の構造が55K以下ではC対称からC対称となることを明らかにした。
Son, N. T.*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Magnusson, B.*; Ellison, A.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; et al.
Materials Science Forum, 527-529, p.527 - 530, 2006/00
電子常磁性共鳴(EPR)を用いて六方晶炭化ケイ素(4H-, 6H-SiC)中の欠陥センターであるP6/P7の構造同定を行った。試料はn型,p型の4H-及び6H-SiC及び高品質半絶縁4H-SiCを用いた。室温または850Cでの3MeV電子線照射(210110/cm)によりP6/P7センターを導入した。低温(8K及び77K)でのC及びSiの超微細相互作用を調べた結果、P6及びP7センターは、それぞれ、結晶のC軸に垂直または平行なシリコン空孔(V)と炭素空孔(V)の複空孔(V-V)であると決定できた。
磯谷 順一*; 片桐 雅之*; 梅田 享英*; Son, N. T.*; Henry, A.*; Gali, A.*; 森下 憲雄; 大島 武; 伊藤 久義; Janzn, E.*
Materials Science Forum, 527-529, p.593 - 596, 2006/00
炭化ケイ素(SiC)中のリン(P)ドナーを電子常磁性共鳴(EPR)により調べた。試料は化学気相成長中にPを導入した立方晶(3-)SiC,六方晶(4-, 6-)SiCを用いた。また、高品質高抵抗SiC基板にPイオン(921MeV)を注入し、Ar中1650Cで30分間熱処理を行った試料も用いた。低温(6K及び60K)でのEPR測定の結果、3-SiCではP, 4-SiCではP, 6-SiCではP, PというPドナーに起因するシグナルの観測に成功した。また、イオン注入によりPを導入したSiC基板から得られるEPRシグナルを詳細に調べることで、炭素サイトを置換したP不純物シグナルであるP及びPも合わせて観測できた。
梅田 享英*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; 神谷 富裕; Gali, A.*; Dek, P.*; Son, N. T.*; Janzn, E.*
Physical Review B, 70(23), p.235212_1 - 235212_6, 2004/12
被引用回数:45 パーセンタイル:83.93(Materials Science, Multidisciplinary)六方晶炭化ケイ素(4-SiC)中に存在する炭素空孔(EI5, EI6)の構造について電子常磁性共鳴(EPR)法及び理論計算(ab inito法)を用いて調べた。炭素空孔は、p型4-SiC単結晶に850Cで1MeV電子線を410/cm照射することで導入した。kサイトの炭素空孔であるEI5は、熱的運動効果でC対称になるとわかっていたが、正確な構造は不明であった。これに対し、40K以下でのEPR測定を行った結果、EI5はヤンテラー効果でC対称であることが判明した。さらに、EI5に対して実験的に得られたESRパラメータの値は、理論計算より求められた結果と良い一致を示した。また、熱的な励起によりEI5がC対称からC対称になる活性化エネルギーは0.014eVであることを見いだした。hサイトの炭素空孔であるEI6についてもEPRで分析した結果、C対称であることが判明し、理論計算結果とも良い一致を示した。
日夏 幸雄
Journal of Solid State Chemistry, 119, p.405 - 411, 1995/00
被引用回数:12 パーセンタイル:48.26(Chemistry, Inorganic & Nuclear)4価プラセオジムペロブスカイトBaPrO、BaCePrO、SrBaPrOを合成し、その磁化率を4.2Kから室温まで測定した。BaPrOで見られる磁気的秩序(転移温度11.6K)は、BaサイトをSrで置換するよりも、PrをCeで置換する方がはるかに弱まることがわかった。いずれの化合物でも4.5Kでヒステリシスが見られた。転移温度以上の磁化率は、Prの小さな磁気モーメントと、大きな温度に依存しない常磁性で特徴付けられることがわかった。SrBaPrOの有効磁気モーメントはSr置換が進むにつれ、大きくなることもわかり、この結果はSrBaCeO中にドープしたPrの常磁性共鳴吸収の結果に一致した。
日夏 幸雄
Journal of Alloys and Compounds, 215, p.161 - 167, 1994/00
被引用回数:9 パーセンタイル:59.93(Chemistry, Physical)秩序化ペロブスカイト構造を持つウラン-遷移金属複合酸化物BaMUO(M=Fe,Co,Ni)を合成し、磁化率と常磁性共鳴(EPR)吸収スペクトルの測定を通して、結晶中のUとMの電子状態を検討した。BaFeUOは120Kでフェリ磁性転移することを見い出した。EPRスペクトルを室温で測定し、g値は2.00だった。化合物中での鉄は+3価の酸化状態にあり、ウランは+5価の酸化状態にあることを明らかにした。BaCoUOとBaNiUOは、9K,25Kで強磁性転移することを見い出した。BaNiUOでは5Kで、10000G以上の磁場で、磁化の完全な飽和を見い出した。EPRスペクトルを室温で測定し、g値は2.17だった。これらの化合物中では、コバルトとニッケルは+2価、ウランは+6価の酸化状態にあることを明らかにした。
日夏 幸雄
Journal of Alloys and Compounds, 203, p.251 - 257, 1994/00
被引用回数:24 パーセンタイル:81.75(Chemistry, Physical)ペロブスカイト構造を持つアルカリ金属ウラン酸塩MUO(M=Li,Na,K,Rb)の磁気的性質について研究した。この研究では、理想的なペロブスカイト型構造を持つRbUOを合成した。4.2Kから室温までの磁化率測定から、約27Kで磁気転移することを見出した。ウラン5価による常磁性共鳴吸収スペクトルは4.2Kでも測定できなかった。磁化率と光吸収スペクトルの結果を、オクタヘドラル対称結晶場モデルで解析した。MUOの磁気転移温度、結晶場パラメータを比較、議論した。
日夏 幸雄
Journal of Solid State Chemistry, 110, p.118 - 123, 1994/00
被引用回数:8 パーセンタイル:38.03(Chemistry, Inorganic & Nuclear)理想的なペロブスカイト型構造を持つKUOを合成し、その磁化率を4.2Kから室温まで測定した。磁気的異常(磁気転移)が16.8Kで起こることを見い出し、この転移温度は磁場の大きさが増加すると減少することがわかった。Uイオンによる常磁性共鳴吸収スペクトルは、4.2Kでも測定されなかった。磁化率と光吸収スペクトルの結果をオクタヘドラル対称を持つ結晶場モデルで解析した。求めた結晶場パラメータを他のf化合物のデータと比較、議論した。
日夏 幸雄
Journal of Solid State Chemistry, 108, p.356 - 361, 1994/00
被引用回数:4 パーセンタイル:22.22(Chemistry, Inorganic & Nuclear)秩序化したペロブスカイト構造を持つウラン複合酸化物を合成し、磁化率を4.2Kから室温まで測定した。何ら磁気的協同現象は見られなかった。常磁性共鳴吸収実験を行なったが、オクタヘドラル対称結晶場中にあるウラン5価イオンに帰因するスペクトルは測定されなかった。光吸収スペクトルの解析から結晶場パラメータを解析し、有効磁気モーメントと温度に依存しない磁化率を計算し、実験値と比較した。
日夏 幸雄; Edelstein, N.*
Journal of Solid State Chemistry, 112, p.53 - 57, 1994/00
被引用回数:46 パーセンタイル:89.22(Chemistry, Inorganic & Nuclear)BaCeOにドープしたPrの常磁性共鳴吸収スペクトルを8.5Kで測定した。Prの核スピンとの相互作用による非常に大きな超微細相互作用を測定した。許容遷移に加えて、禁制遷移も観測できた。結果をBreit-Rabi式で解析し、|g|=0.745、超微細結合定数|A|=0.0606cmを得た。得られたパラメータから、BaCeO中のPrのエネルギーレベルを計算した。
日夏 幸雄
日本原子力学会誌, 36(8), p.714 - 726, 1994/00
被引用回数:1 パーセンタイル:17.84(Nuclear Science & Technology)螢石型構造またはペロブスカイト型構造を持つウラン複合酸化物の磁気的性質をまとめ、固体中での5f電子の挙動を議論した。螢石型構造を持つMyUO(M=希土類、アルカリ土類金属)の磁化率をレビューし、CeUO固溶体で見い出した電荷移動を議論した。MUO(M=アルカリ金属)、秩序化ペロブスカイトBaMUO(M=希土類、遷移金属、アルカリ土類金属)の磁化率と常磁性共鳴吸収(EPR)をレビューした。低温で見い出されるウランイオン間の磁気的相互作用のEPRのg値を議論した。また、磁気的相互作用の臨界U-U距離を導いた。
日夏 幸雄
日本原子力学会誌, 35(8), p.701 - 717, 1993/08
被引用回数:0 パーセンタイル:3.85(Nuclear Science & Technology)アクチノイドイオンと化合物の磁気的性質についてレビューした。アクチノイドイオンの磁気的性質は、アクチノイド系列を体系化している5f電子のスピン角運動量と軌道角運動量による。このレビューでは、対象を、固体中のアクチノイドイオンと化合物中で5f電子が局在した、いわゆる結晶場理論が適用される系に限った。主に磁化率と常磁性共鳴吸収の結果について、レビューし、論じた。
日夏 幸雄
Journal of Alloys and Compounds, 193, p.113 - 115, 1993/00
被引用回数:14 パーセンタイル:72.74(Chemistry, Physical)ペロブスカイト型化合物、BaUO,BaPrO,BaTbOを合成し、磁化率、常磁性共鳴吸収スペクトルを測定した。X線回折からBaUOは理想的なペロブスカイト構造を、またBaPrO,BaTbOでは斜方晶に歪んだ擬ペロブスカイト構造をとることがわかった。BaUOは温度に依存しない常磁性を、またBaPrO,BaTbOでは11.5,32.7Kで磁気転移を起こすことがわかった。常磁性共鳴吸収スペクトルの測定では、BaPrOではPrに基づく超微細構造が測定され、BaTbOではg=2.00のスペクトルが測定できた。
日夏 幸雄
Journal of Solid State Chemistry, 102, p.362 - 367, 1993/00
被引用回数:31 パーセンタイル:80.26(Chemistry, Inorganic & Nuclear)4価のプラセオジムのペロブスカイトBaPrOを合成し、磁化率を4.2Kから室温まで測定した。11.5Kで磁気的秩序を見出した。温度がこの転移点を超えると著しく磁化率は低下した。BaPrCeO固溶体の磁化率も測定した。Prの常磁性共鳴吸収はBaCeOに希釈した試料につき、4.2Kで測定できた。磁気的測定から、プラセオジムは+4価の酸化状態にあることがわかった。
日夏 幸雄
Journal of Solid State Chemistry, 105, p.100 - 106, 1993/00
被引用回数:11 パーセンタイル:47.84(Chemistry, Inorganic & Nuclear)秩序化したペロブスカイト構造を持つウラン複合酸化物BaMUO(M=Sc,Y,Gd,Yb,Mn)を合成し、磁化率と常磁性共鳴吸収スペクトルを測定した。BaYUO,BaScUO中のUの有効磁気モーメントは異常に小さかった。BaGdUO,BaYbUOのモーメントは7.74,4.69でGd,Ybの理論値に近かった。BaGdUOの常磁性共鳴吸収スペクトルが測定でき、g値は1.92だった。BaMnUOでは、約50K以下でフェリ磁性が見られた。有効磁気モーメントは5.52、g値は2.00で、化合物中のマンガンイオンは高スピン状態にある2価であることがわかった。
磯谷 順一*; 神田 久生*; 内田 吉茂*; S.C.Lawson*; 山崎 聡*; 伊藤 久義; 森田 洋右
Physical Review B, 45(3), p.1436 - 1439, 1992/01
被引用回数:105 パーセンタイル:95.65(Materials Science, Multidisciplinary)ダイヤモンド人工単結晶に2MeV電子線を照射し生成される欠陥(単一空孔)を電子常磁性共鳴(EPR)及び電子-核二重共鳴(ENDOR)法を用いて測定した。その結果、C単一空孔に起因するSl-EPRスペクトルに対し、g値は4K及び77Kにおいて等方的で、2.0027なる値をとることが解った。またEPRスペクトルの角度依存性から、電子スピンと最近接格子位置のC核スピンとの超微細相互作用テンソルは111軸対称であることが判明した。これらの結果から、Sl欠陥はTd対称性を示すことが確認された。さらにENDOR測定より、Sl欠陥の有効スピン量子数は3/2であることが解った。第2近接Cの配置についても、ENDORスペクトルの角度依存性から、欠陥に対し110方向に存在することが確かめられた。以上得られた欠陥の対称性とスピン量子数から、Sl欠陥は荷電状態が負(-1価)の単一空孔であることが明らかになった。
日夏 幸雄
Journal of Solid State Chemistry, 100, p.136 - 140, 1992/00
被引用回数:21 パーセンタイル:68.83(Chemistry, Inorganic & Nuclear)4価のテルビウムペロブスカイトBaTbOとSrTbOを合成し、磁化率と常磁性共鳴吸収(EPR)スペクトルを測定した。両化合物は、32.7,30.5Kで反強磁性転移を示した。有効磁気モーメントは7.96で、Tbの理論値に非常に近い。EPRスペクトルは室温で測定でき、g値は2.00,1.97だった。これらの結果から、テルビウムの酸化状態は3価でなく、4価であることがわかった。SrTbOのg値が2.00からずれるのは、テルビウムのオクタヘドラル対称結晶場が歪むためである。
日夏 幸雄; 藤野 威男*; Edelstein, N.*
Journal of Solid State Chemistry, 99, p.182 - 188, 1992/00
被引用回数:25 パーセンタイル:74.51(Chemistry, Inorganic & Nuclear)LiUOを合成し、その磁化率を4.2Kから室温まで測定した。磁気転移が16.9Kで起こり、この温度以下では磁化率の磁場依存性が見られた。LiUOの結晶場パラメータをLiNbOにドープしたUの吸収スペクトルから決定した。磁化率と常磁性共鳴吸収のg値を計算し、実験値と比較した。